Konferecja Intel Developer Forum 2009

Tegoroczny IDF odbył się w dniach od 23 do 25 września w San Francisco. Jak podał organizator, zarejestrowało się ponad 4000 specjalistów i deweloperów z różnych branż, z tego ok. 400 osób reprezentowało przemysł elektroniki użytkowej, 600 uczestników związanych było z produkcją oprogramowania, a ponad 500 z ochroną zdrowia, finansami, energetyką, przemysłem, automatyką, telekomunikacją itp. Ponad 200 osobową grupę stanowili dziennikarze oraz analitycy rynku IT.

22-nanometrowe pamięci SRAM

Nie ulega wątpliwości, że najważniejszym technologicznym wydarzeniem na tegorocznym IDF-ie była premiera 22-nanometrowej technologii produkcji półprzewodników. Paul Otellini, prezes i dyrektor generalny firmy Intel Corporation, już na otwierającym konferencje wykładzie plenarnym zaprezentował pierwszy na świecie testowy wafel statycznej pamięci SRAM (Static RAM) wykonany właśnie w 22-nanometrowym procesie technologicznym. Pamięci SRAM są swojego rodzaju poligonem doświadczalnym wykorzystywanym do testowania technologii produkcji półprzewodników. Premiera ta oznacza, że już wkrótce Intel będzie gotowy do rozpoczęcia produkcji procesorów i innych układów scalonych w tym właśnie procesie technologicznym.

W zaprezentowanych na konferencji modułach pamięci komórki SRAM tworzyły macierz pamięci o pojemności 346 Mb, która zajmuje powierzchnię 0,108 lub 0,092 mikrometra kwadratowego. Większe, z wymienionych komórek zoptymalizowane zostały do pracy niskonapięciowej, mniejsze są zaś znacznie gęściej upakowane niemniej wymagają nieco wyższego napięcia zasilającego. Sam pojedynczy testowy moduł pamięci SRAM składa się z 2,9 miliarda tranzystorów i charakteryzuje się około dwukrotnie większą gęstością upakowania tranzystorów niż ma to miejsce w dotychczasowych produkowanych w rozmiarze technologicznym 32 nanometrów pamięciach SRAM. Do produkcji układu zastosowano litografię immersyjną korzystającą z lasera o długości światła 193 nm.

Półprzewodnikowy wafel z 22-nanometrowymi pamięciami SRAM.

Spis treści
01. 22-nanometrowe pamięci SRAM
02. Larrabee wkracza na scenę